MMSS8050-H

Transistor bipolar (BJT)

Semiconductor discreto, transistor – bipolar (BJT) – Simple, transistor PNP.

Especificaciones:

• Transistor bipolar (BJT) NPN
• Voltaje: 25 V.
• Corriente: 1,5 A.
• Potencia: 625 mW.
• Montaje en superficie SOT-23.
• Corriente – Colector (Ic) (Máx.) : 1,5A.
• Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.): 25V.
• Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV a 80mA, 800mA.
• Corriente: corte del colector (máx.): 100nA.
• Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V.
• Frecuencia – Transición: 100 MHz.
• Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ).