Transistor NPN de silicio. 

con una base epitaxial de silicio en caja metálica Jedec  y empaque TO-3. Está destinado a para circuitos de conmutación de potencia, reguladores reguladores en serie y en derivación, etapas de salida y de alta fidelidad.

Especificaciones: 

• Voltaje colector – base: 100 V.
• Voltaje colector – emisor: 60 V ~ 70 V.
• Voltaje emisor – base: 7 V.
• Corriente colector: 15 A.
• Corriente base: 7 A.
• Disipación de potencia: 100 W.
• Rango de temperatura: -65 °C ~ 200 °C.
• Empaque:  TO-3.