Mosfet HEXFET® de Potencia, canal P, VDSS = -60V, RDS(on) = 500mΩ, ID = -1.8A, PD=3.1 W, VGS=± 20 V, IAR=-1.8 A. Empaque SOT-223.
Mosfet HEXFET® de Potencia, canal P, VDSS = -60V, RDS(on) = 500mΩ, ID = -1.8A, PD=3.1 W, VGS=± 20 V, IAR=-1.8 A. Empaque SOT-223.
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